電源の高効率化に貢献する最新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

2022.03.31 11:00

2022年3月31日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社

当社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用スイッチング電源向けに、最新世代プロセス[注1]「U-MOSⅩ-H (ユー・モス・テン・エイチ)」を採用した、150V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」を発売しました。本日から出荷を開始します。

新製品は、従来世代プロセスU-MOSⅧ-Hの150V耐圧製品「TPH1500CNH」と比べて、ドレイン･ソース間オン抵抗を約42%低減しました。また、素子構造を最適化し、ドレイン･ソース間オン抵抗と2つの電荷量特性[注2]のトレードオフを改善[注3]し、業界トップクラス[注1]の低損失を実現しました。さらに、スイッチング時にドレイン･ソース間に発生するスパイク電圧を低減し、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。

パッケージは、表面実装タイプのSOP Advanceと、表面実装タイプでより汎用性の高いSOP Advance(N)の２種類から選択可能です。

また、回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル(G0モデル)に加えて、今回、過渡特性の精度を高めたSPICEモデル(G2モデル)を提供開始します。

当社は今後も、損失を低減して電源の効率を高めることができるパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。

【応用機器】

・通信機器用電源

・スイッチング電源 (高効率DC-DCコンバーターなど)

【新製品の主な特長】

・業界トップクラス[注1]の低損失を実現 (オン抵抗とゲートスイッチ電荷量、出力電荷量のトレードオフを改善)

・業界トップクラス[注1]の低オン抵抗 : RDS(ON)=9.0mΩ (max) ＠VGS=10V

・チャネル温度定格が高い : Tch (max)=175°C

[注1] 2022年3月現在、当社調べ。

[注2] ゲートスイッチ電荷量と出力電荷量

[注3] 既存製品TPH1500CNH (U-MOSⅧ-Hシリーズ) と比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を約20%改善、ドレイン・ソース間オン抵抗×出力電荷量を約28%改善。

【新製品の主な仕様】

(特に指定のない限り、@Ta=25°C)

【表：https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M107097/202203239007/_prw_PT1fl_i2zJt8lm.png】

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

TPH9R00CQH

当社のパワーMOSFET製品については下記ページをご覧ください。

MOSFET

高精度SPICEモデル(G2モデル)の詳細については下記ページをご参照ください。

G2モデル

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。

TPH9R00CQH

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